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晶圓加熱模組(定制)在半導體制程過程中非常重要,特別是在一些關鍵工藝中,如晶圓退火、鍵合、勻膠、刻蝕、氣相沉積等,它可以提供穩定的溫場環境及精密的盤面均勻溫度,確保晶圓在各種溫區中的加熱要求,從而實現半導體器件的制造和研發。
快速退火爐RTP600專為半導體高溫處理設計,支持500℃~1000℃范圍內的氧化/擴散/快速退火工藝,采用雙層21×1kW高功率燈管,實現150℃/s極速升溫控制,通過水冷鋁質外殼、石英內腔確保溫度均勻性,兼容2~6英寸晶圓片,結合精密氣體控制提供高效解決方案。